Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://earchive.tpu.ru/handle/11683/26527
Название: Морфология разрушений светодиодных гетероструктур InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком
Авторы: Садуова, Балжан Каиржановна
Научный руководитель: Олешко, Владимир Иванович
Ключевые слова: сильноточный электронный пучок,; разрушение; светодиодные гетероструктуры; диагностика; InGaN/GaN-квантовые ямы,; high-current electron stream; destruction; diagnostics; LED heterostrures; InGaN/GaN-quantum holes
Дата публикации: 2016
Библиографическое описание: Садуова Б. К. Морфология разрушений светодиодных гетероструктур InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком : дипломный проект / Б. К. Садуова ; Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ), Институт физики высоких технологий (ИФВТ), Кафедра лазерной и световой техники (ЛиСТ) ; науч. рук. В. И. Олешко. — Томск, 2016.
Аннотация: Объектом исследования являются светодиодные гетероструктуры на основе InGaN/GaN-квантовых ям.Цель работы – изучение морфологии и механизмов электронно-пучкового разрушения тонкопленочных светодиодных наногетероструктурна основе InGaN/GaN-квантовых ям, выращенных на сапфировых подложках.Методы исследований – импульсная спектрометрия иоптическая микроскопия. Изучена морфология разрушений гетероструктур различной предыстории. Показано, что разрушения формируются в образцах при многоимпульсном облучении электронным пучком пороговой плотности при Н≥ 0,2 Дж/см2.Результаты исследований свидетельствуют о том, что главной причиной разрушения слоевгетероструктуры является электрический пробой,
Object of research are LED heterostructures on the basis of InGaN/GaN-quantum holes. The work purpose – studying of morphology and mechanisms of electronic and fascicular destruction of thin-film LED nanoheterostructures on the basis of the InGaN/GaN-quantum holes which are grown up on sapphire substrates. Methods of researches – a pulse spectrometry and an optical microscopy. The received results. The morphology of destructions of heterostructures of various background is studied. It is shown that destructions are formed in exemplars at multipulse radiation by an electron stream of threshold density at N ≥ 0,2 J/cm2. Results of researches demonstrate that the electrical breakdown developing in an electric field
URI: http://earchive.tpu.ru/handle/11683/26527
Располагается в коллекциях:ВКР

Файлы этого ресурса:
Файл РазмерФормат 
TPU162649.pdf2,6 MBAdobe PDFПросмотреть/Открыть


Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.