Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://earchive.tpu.ru/handle/11683/28865
Название: Разработка состава высокотеплопроводного материала на основе AlN
Авторы: Абрамов, Артём Олегович
Научный руководитель: Дитц, Александр Андреевич
Ключевые слова: нитрид алюминия; алмаз; керамика; высокая теплопроводность; полиморфные превращения; aluminium nitride; diamond; ceramic; high thermal conductivity; polymorphic transformations
Дата публикации: 2016
Библиографическое описание: Абрамов А. О. Разработка состава высокотеплопроводного материала на основе AlN : дипломный проект / А. О. Абрамов ; Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ), Институт физики высоких технологий (ИФВТ), Кафедра технологии силикатов и наноматериалов (ТСН) ; науч. рук. А. А. Дитц. — Томск, 2016.
Аннотация: Выпускная квалификационная работа содержит 83 с., 25 рис., 26 табл., 35 источников. Объектом исследования является алюмонитридный керамический материал с добавлением синтетического алмаза. Цель работы – разработка состава высокотеплопроводного керамического материала на основе нитрида алюминия с добавлением синтетического алмаза. В процессе исследования проводились эксперименты по выявлению возможных химических и полиморфных превращений в системе алмаз – нитрид алюминия при нагревании. В результате исследования сделаны выводы о влиянии размера алмазной фракции и температуры обжига на возможность применения алмаза в технологии получения алюмонитридной керамики. Область применения: электроника, микроэлектроника, теплоотвод.
Final qualifying work contains 83 p., 25 fig., 26 tab., 35 sources. The object is aluminium nitride ceramic material with the addition of synthetic diamond. The purpose of work - development of high thermal conductivity ceramic material composition based on aluminum nitride with the addition of synthetic diamond. The study carried out experiments to identify possible chemical and polymorphic transformations in the system of diamond - aluminum nitride when heated. The research conclusions on the impact of the size of the diamond fraction and burning temperature on the possibility of using diamond technology for AlN ceramic. Area of application: electronics, microelectronics, heat sink.
URI: http://earchive.tpu.ru/handle/11683/28865
Располагается в коллекциях:ВКР

Файлы этого ресурса:
Файл РазмерФормат 
TPU201649.pdf3,05 MBAdobe PDFПросмотреть/Открыть


Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.