Please use this identifier to cite or link to this item: http://earchive.tpu.ru/handle/11683/28865
Title: Разработка состава высокотеплопроводного материала на основе AlN
Authors: Абрамов, Артём Олегович
metadata.dc.contributor.advisor: Дитц, Александр Андреевич
Keywords: нитрид алюминия; алмаз; керамика; высокая теплопроводность; полиморфные превращения; aluminium nitride; diamond; ceramic; high thermal conductivity; polymorphic transformations
Issue Date: 2016
Citation: Абрамов А. О. Разработка состава высокотеплопроводного материала на основе AlN : дипломный проект / А. О. Абрамов ; Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ), Институт физики высоких технологий (ИФВТ), Кафедра технологии силикатов и наноматериалов (ТСН) ; науч. рук. А. А. Дитц. — Томск, 2016.
Abstract: Выпускная квалификационная работа содержит 83 с., 25 рис., 26 табл., 35 источников. Объектом исследования является алюмонитридный керамический материал с добавлением синтетического алмаза. Цель работы – разработка состава высокотеплопроводного керамического материала на основе нитрида алюминия с добавлением синтетического алмаза. В процессе исследования проводились эксперименты по выявлению возможных химических и полиморфных превращений в системе алмаз – нитрид алюминия при нагревании. В результате исследования сделаны выводы о влиянии размера алмазной фракции и температуры обжига на возможность применения алмаза в технологии получения алюмонитридной керамики. Область применения: электроника, микроэлектроника, теплоотвод.
Final qualifying work contains 83 p., 25 fig., 26 tab., 35 sources. The object is aluminium nitride ceramic material with the addition of synthetic diamond. The purpose of work - development of high thermal conductivity ceramic material composition based on aluminum nitride with the addition of synthetic diamond. The study carried out experiments to identify possible chemical and polymorphic transformations in the system of diamond - aluminum nitride when heated. The research conclusions on the impact of the size of the diamond fraction and burning temperature on the possibility of using diamond technology for AlN ceramic. Area of application: electronics, microelectronics, heat sink.
URI: http://earchive.tpu.ru/handle/11683/28865
Appears in Collections:Выпускные квалификационные работы (ВКР)

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
TPU201649.pdf3,05 MBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.