Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://earchive.tpu.ru/handle/11683/3026
Название: Образование радиационных дефектов в узкозонных полупроводниках при облучении электронами
Авторы: Войцеховский, А. В.
Коханенко, А. П.
Ключевые слова: высокоэнергетическое облучение; дефектообразование; теллурид кадмия; теллурид ртути
Дата публикации: 2000
Издатель: Томский политехнический университет
Библиографическое описание: Войцеховский А. В. Образование радиационных дефектов в узкозонных полупроводниках при облучении электронами / А. В. Войцеховский, А. П. Коханенко // Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]. — 2000. — Т. 303, вып. 2 : Радиационная физика твердого тела и радиационные технологии. — [С. 104-116].
Аннотация: В работе описаны результаты исследований процессов образования радиационных дефектов в узкозонных твердых растворах теллурида кадмия ртути (КРТ) при воздействии высокоэнергетических электронов. Проведен анализ потерь энергии электронов и длин их пробега в материале, рассчитано число смещений атомов соединения на один падающий электрон. Теоретически показано, что основные параметры материала КРТ могут направленно изменяться при изменении дозы облучения. Экспериментально определены основные закономерности изменений концентрации, подвижности и времени жизни носителей заряда в кристаллах КРТ при электронном облучении при комнатной температуре.
URI: http://earchive.tpu.ru/handle/11683/3026
Располагается в коллекциях:Известия ТПУ

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
bulletin_tpu-2000-303-2-08.pdf2,15 MBAdobe PDFПросмотреть/Открыть


Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.