Please use this identifier to cite or link to this item: http://earchive.tpu.ru/handle/11683/3026
Title: Образование радиационных дефектов в узкозонных полупроводниках при облучении электронами
Authors: Войцеховский, А. В.
Коханенко, А. П.
Keywords: высокоэнергетическое облучение; дефектообразование; теллурид кадмия; теллурид ртути
Issue Date: 2000
Publisher: Томский политехнический университет
Citation: Войцеховский А. В. Образование радиационных дефектов в узкозонных полупроводниках при облучении электронами / А. В. Войцеховский, А. П. Коханенко // Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]. — 2000. — Т. 303, вып. 2 : Радиационная физика твердого тела и радиационные технологии. — [С. 104-116].
Abstract: В работе описаны результаты исследований процессов образования радиационных дефектов в узкозонных твердых растворах теллурида кадмия ртути (КРТ) при воздействии высокоэнергетических электронов. Проведен анализ потерь энергии электронов и длин их пробега в материале, рассчитано число смещений атомов соединения на один падающий электрон. Теоретически показано, что основные параметры материала КРТ могут направленно изменяться при изменении дозы облучения. Экспериментально определены основные закономерности изменений концентрации, подвижности и времени жизни носителей заряда в кристаллах КРТ при электронном облучении при комнатной температуре.
URI: http://earchive.tpu.ru/handle/11683/3026
Appears in Collections:Известия ТПУ

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
bulletin_tpu-2000-303-2-08.pdf2,15 MBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.