Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс:
http://earchive.tpu.ru/handle/11683/3037
Название: | Расчет на ЭВМ энергий образования, взаимодействия и миграции дефектов в щелочно-галоидных кристаллах |
Авторы: | Анненков, Юрий Михайлович Оловяшникова, А. М. |
Ключевые слова: | щелочно-галоидные кристаллы; молекулярная статистика; методы; радиационные дефекты; ионные кристаллы; ионизирующее излучение |
Дата публикации: | 2000 |
Издатель: | Томский политехнический университет |
Библиографическое описание: | Анненков Ю. М. Расчет на ЭВМ энергий образования, взаимодействия и миграции дефектов в щелочно-галоидных кристаллах / Ю. М. Анненков, А. М. Оловяшникова // Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]. — 2000. — Т. 303, вып. 2 : Радиационная физика твердого тела и радиационные технологии. — [С. 117-136]. |
Аннотация: | Разработана программа DEFECT для машинных расчетов энергетики дефектного ионного кристалла методами молекулярной статики. Программа состоит из трех подпрограмм: RESOT, предназначенную для построения координат идеального кристалла, SFERA, имеющую целью нахождение соседей иона на любом числе координационных сфер и SILA, позволяющую определять энергии взаимодействия между частицами и силы, действующие на данный ион. В центр модельного кристалла, состоящего из 1100 ионов, помещается рассматриваемый дефект. Ионы моделируются как точечные, неполяризующиеся заряды, величина которых соответствует истинным зарядам ионов кристалла. В модели при осуществлении операции минимизации энергии кристалла с дефектом проблемы дальнодействия кулоновского потенциала и учета электронно-деформационной поляризации решаются приближенно на макроскопическом уровне. С помощью программы DEFECT проведены расчеты энергетики образования и миграции шоттковских и френкелевских дефектов в ЩГК, энергий агрегатов вакансий различной сложности. Выполнен анализ эффективности взаимодействия между простейшими и сложными радиационными дефектами, определены энергетические стимулы различных радиационных процессов в ионных кристаллах, возбуждаемых ионизирующим излучением. |
URI: | http://earchive.tpu.ru/handle/11683/3037 |
Располагается в коллекциях: | Известия Томского политехнического университета. Инжиниринг георесурсов |
Файлы этого ресурса:
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
bulletin_tpu-2000-303-2-09.pdf | 3,42 MB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.