Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://earchive.tpu.ru/handle/11683/34837
Название: The ability to create NTD silicon technology in the IRT-T reactor in a horizontal experimental channel with one-side access
Авторы: Varlachev, Valery Aleksandrovich
Golovathkiy, Aleksey Vasilievich
Emets, Evgeny Gennadievich
Butko, Yana Aleksandrovna
Ключевые слова: реакторы; ИРТ-Т; нейтронное легирование; монокристаллический кремний; тепловые нейтроны
Дата публикации: 2016
Издатель: IOP Publishing
Библиографическое описание: The ability to create NTD silicon technology in the IRT-T reactor in a horizontal experimental channel with one-side access / V. A. Varlachev [et al.] // IOP Conference Series: Materials Science and Engineering. — 2016. — Vol. 135 : Issues of Physics and Technology in Science, Industry and Medicine : VIII International Scientific Conference, 1–3 June 2016, Tomsk, Russia : [proceedings]. — [012047, 5 p.].
Аннотация: The article shows the ability of creation of neutron transmutation doping (NTD) of monocrystalline silicon technology in the reactor's channel, which has a one-side access. In the article a distribution of thermal neutron flux through the length of channel and it's radius, neutron spectrum were obtained which confirmed that horizontal experimental channel HEC-1 is suitable for NTD.
URI: http://earchive.tpu.ru/handle/11683/34837
Располагается в коллекциях:Материалы конференций

Файлы этого ресурса:
Файл РазмерФормат 
dx.doi.org-10.1088-1757-899X-135-1-012047.pdf951,76 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть


Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.