Please use this identifier to cite or link to this item: http://earchive.tpu.ru/handle/11683/36486
Title: Исследование оптических свойств светодиодов на основе гетероструктур из широкозонных полупроводников
Authors: Бактыбаев, А. А.
Туранов, Сергей Борисович
metadata.dc.contributor.advisor: Прудаев, И. А.
Keywords: электронные ресурсы; гетероструктуры; квантовые ямы; светодиодные структуры; электролюминесценция; электрические поля
Issue Date: 2016
Citation: Бактыбаев А. А. Исследование оптических свойств светодиодов на основе гетероструктур из широкозонных полупроводников / А. А. Бактыбаев, С. Б. Туранов ; науч. рук. И. А. Прудаев // Высокие технологии в современной науке и технике (ВТСНТ-2016) : сборник научных трудов V Международной научно-технической конференции молодых ученых, аспирантов и студентов, г. Томск, 5–7 декабря 2016 г. — Томск : STT, 2016. — [С. 220].
Abstract: Исследовались гетероструктуры на основе квантовых ям из растворов InGaN, а также светодиодные структуры на основе твердого раствора AlGaInP. Измерены и проанализированы спектры электролюминесценции светодиодных гетероструктур. Выявлено различное влияние внутренних электрических полей квантовых ям в этих гетероструктурах на спектры электролюминесценции.
URI: http://earchive.tpu.ru/handle/11683/36486
Appears in Collections:Материалы конференций

Files in This Item:
File SizeFormat 
conference_tpu-2016-C17_p220-220.pdf206,12 kBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.