Please use this identifier to cite or link to this item:
http://earchive.tpu.ru/handle/11683/36486| Title: | Исследование оптических свойств светодиодов на основе гетероструктур из широкозонных полупроводников |
| Authors: | Бактыбаев, А. А. Туранов, Сергей Борисович |
| metadata.dc.contributor.advisor: | Прудаев, И. А. |
| Keywords: | электронные ресурсы; гетероструктуры; квантовые ямы; светодиодные структуры; электролюминесценция; электрические поля |
| Issue Date: | 2016 |
| Citation: | Бактыбаев А. А. Исследование оптических свойств светодиодов на основе гетероструктур из широкозонных полупроводников / А. А. Бактыбаев, С. Б. Туранов ; науч. рук. И. А. Прудаев // Высокие технологии в современной науке и технике (ВТСНТ-2016) : сборник научных трудов V Международной научно-технической конференции молодых ученых, аспирантов и студентов, г. Томск, 5–7 декабря 2016 г. — Томск : STT, 2016. — [С. 220]. |
| Abstract: | Исследовались гетероструктуры на основе квантовых ям из растворов InGaN, а также светодиодные структуры на основе твердого раствора AlGaInP. Измерены и проанализированы спектры электролюминесценции светодиодных гетероструктур. Выявлено различное влияние внутренних электрических полей квантовых ям в этих гетероструктурах на спектры электролюминесценции. |
| URI: | http://earchive.tpu.ru/handle/11683/36486 |
| Appears in Collections: | Материалы конференций |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| conference_tpu-2016-C17_p220-220.pdf | 206,12 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.