Осаждение диэлектрических плёнок Si3N4 с помощью плазмы магнетронного разряда

Abstract

Объектом исследования являются диэлектрические плёнки нитрида кремния, полученные с помощью МРС, и режимы, обеспечивающие стехиометрический состав этих покрытий. Целью работы является определение параметров магнетронного осаждения, обеспечивающие получение стехиометрических плёнок Si3N4. В процессе исследования проводились: получение покрытий с помощью МРС, определение толщины и скорости осаждения плёнок Si3N4, изучение морфологии поверхности, определение показателя преломления и концентрации связей Si-N, влияние источника питания МРС на свойства покрытия нитрида кремния. В результате исследования были определены режимы нанесения диэлектрических покрытий Si3N4 с составом близким к стехиометрии. Было показано, что источник питания влияет на свойства получаемых покрытий.

The object of research is a dielectric film of silicon nitride obtained with Mrs, and modes, providing a stoichiometric composition of these coatings.The aim of the work is to determine the parameters of magnetron deposition, which ensure the production of stoichiometric Si3N4 films. As a result, the modes of depositing Si3N4 dielectric coatings with a composition close to stoichiometry were determined. The power source affects on the properties of the coatings.