Please use this identifier to cite or link to this item:
http://earchive.tpu.ru/handle/11683/45520| Title: | Время разрешенная фотолюминесцентная спектроскопия гетероструктур на основе InGaN/GaN-квантовых ям |
| Authors: | Ли Цзысюань Сысоева, С. Г. Олешко, Владимир Иванович |
| metadata.dc.contributor.advisor: | Олешко, Владимир Иванович |
| Keywords: | электронные ресурсы; полупроводниковые гетероструктуры; оптические свойства; оптоэлектроника; кристаллическая решетка; светоизлучающие структуры |
| Issue Date: | 2017 |
| Citation: | Ли Цзысюань. Время разрешенная фотолюминесцентная спектроскопия гетероструктур на основе InGaN/GaN-квантовых ям / Ли Цзысюань, С. Г. Сысоева, В. И. Олешко ; науч. рук. В. И. Олешко // Высокие технологии в современной науке и технике (ВТСНТ-2017) : сборник научных трудов VI Международной научно-технической конференции молодых ученых, аспирантов и студентов, г. Томск, 27–29 ноября 2017 г. — Томск : Изд-во ТПУ, 2017. — [С. 152-153]. |
| URI: | http://earchive.tpu.ru/handle/11683/45520 |
| Appears in Collections: | Материалы конференций |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| conference_tpu-2017-C17_p152-153.pdf | 524,06 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.