Please use this identifier to cite or link to this item: http://earchive.tpu.ru/handle/11683/50953
Title: Оптимизация конфигурации активной зоны реактора ИРТ-Т для облучения слитков монокристаллического кремния большого диаметра
Other Titles: Optimization of configuration of the IRT-T reactor core for irradiation of the large diameter monocrystalline silicon
Authors: Дмитриев, С. К.
Золотых, Даниил Евгеньевич
Лебедев, Иван Игоревич
metadata.dc.contributor.advisor: Наймушин, Артем Георгиевич
Keywords: оптимизация; конфигурация; активные зоны; реакторы; ИРТ-Т; облучение; монокристаллический кремний
Issue Date: 2018
Publisher: Издательский Дом Томского государственного университета
Citation: Дмитриев С. К. Оптимизация конфигурации активной зоны реактора ИРТ-Т для облучения слитков монокристаллического кремния большого диаметра / С. К. Дмитриев, Д. Е. Золотых, И. И. Лебедев ; науч. рук. А. Г. Наймушин // Перспективы развития фундаментальных наук : сборник научных трудов XV Международной конференции студентов, аспирантов и молодых ученых, г. Томск, 24-27 апреля 2018 г. : в 7 т. — Томск : Издательский Дом Томского государственного университета, 2018. — Т. 1 : Физика. — [С. 117-119].
Abstract: Among all the existing methods of impurity implantation, the highest homogeneity of the electrophysical parameters of silicon is achieved using the technology of neutron transmutation doping (NTD). Therefore, silicon, doped by this technology, is widely used in the world practice to create devices with a minimum scatter of specific electrical resistance: thyristors, charge-coupled devices, radiation detectors, photodetectors. Interest to NTD is due to its two main advantages over conventional metallurgical methods of introducing impurities. This, first, high doping accuracy, since the concentration of impurities introduced at a constant neutron flux is proportional to the time of irradiation, which can be controlled with great accuracy. Secondly, this is a high homogeneity of impurity distribution, which is determined by the random distribution of isotopes and neutron capture cross sections. The creation of technology of NTD of silicon with given properties is a complex problem. To solve it, it is necessary to fulfill the following conditions: to ensure high homogeneity of neutron fluence and optimize the neutron-physical parameters of the irradiation zone to obtain a thermalized neutron spectrum.
URI: http://earchive.tpu.ru/handle/11683/50953
Appears in Collections:Материалы конференций

Files in This Item:
File SizeFormat 
conference_tpu-2018-C21_V1_p117-119.pdf392,05 kBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.