Please use this identifier to cite or link to this item: http://earchive.tpu.ru/handle/11683/60041
Title: Радиационно-стимулированный отжиг гамма-квантами светодиодов на основе гетероструктур AlGaAs подвергнутых воздействию эксплуатационных факторов
Authors: Даширабданова, Арюна Саяновна
metadata.dc.contributor.advisor: Градобоев, Александр Васильевич
Keywords: светодиод; гетероструктура; ускоренные испытания; ионизирующее излучение; светодиод на основе AlGaAs (арсенид алюминия-галлия); light-emitting diode; heterostructure; accelerated tests; ionizing radiation; AlGaAs based LED (aluminum gallium arsenide)
Issue Date: 2020
Citation: Даширабданова А. С. Радиационно-стимулированный отжиг гамма-квантами светодиодов на основе гетероструктур AlGaAs подвергнутых воздействию эксплуатационных факторов : бакалаврская работа / А. С. Даширабданова ; Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ), Инженерная школа неразрушающего контроля и безопасности (ИШНКБ), Отделение контроля и диагностики (ОКД) ; науч. рук. А. В. Градобоев. — Томск, 2020.
Abstract: Целью данного исследования является изучение влияния радиационно-стимулированного отжига гамма-квантами на светодиоды на основе гетероструктур AlGaAs после ступенчатых испытаний. В процессе выполнения дипломной работы был проделан теоретический анализ светодиодов на основе гетероструктур AlGaAs. Было изучено понятие ступенчатых испытаний, рассмотрено их влияние на светодиоды на основе гетероструктур AlGaAs. Затем исследовано влияние радиационно-стимулированного отжига гамма-квантами на данные светодиоды. Выполнен комплекс экспериментальных измерений вольт-амперных характеристик светодиодов на основе гетероструктур AlGaAs после ступенчатых испытаний.
The purpose of this research is to study the effect of radiation-induced annealing by gamma rays on LEDs based on AlGaAs heterostructures after accelerated tests. In the process of completing the thesis, a theoretical analysis of LEDs based on AlGaAs heterostructures was done. The concept of accelerated tests was studied, their effect on LEDs based on AlGaAs heterostructures was examined. Then, the effect of radiation-stimulated annealing by gamma rays on these LEDs was studied. A set of experimental measurements of the current – ??voltage characteristics of LEDs based on AlGaAs heterostructures accelerated tests was performed.
URI: http://earchive.tpu.ru/handle/11683/60041
Appears in Collections:Выпускные квалификационные работы (ВКР)

Files in This Item:
File SizeFormat 
TPU915196.pdf1,71 MBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.