Please use this identifier to cite or link to this item: http://earchive.tpu.ru/handle/11683/607
Title: Влияние неоднородных электрических полей на спектры DLTS полупроводников, облученных нейтронами
Authors: Пешев, В. В.
Keywords: неоднородные поля; электрические поля; полупроводники; нейтроны; аналитические выражения; разупорядочение; расчетные спектры; экспериментальные спектры; полосы; радиационные дефекты; формы; местоположение; внутренние поля; скорость; эмиссия; электроны
Issue Date: 2005
Publisher: Томский политехнический университет
Citation: Пешев В. В. Влияние неоднородных электрических полей на спектры DLTS полупроводников, облученных нейтронами / В. В. Пешев // Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]. — 2005. — Т. 308, № 2. — [С. 74-79].
Abstract: Получено аналитическое выражение для описания спектров DLTS дефектов в полупроводниках, содержащих встроенные электрические поля областей разупорядочения. Из сопоставления расчетных и экспериментальных спектров для GaAs n-типа, облученного быстрыми нейтронами, сделана попытка связать происхождение U-полосы с известными радиационными дефектами P2 и P3. Учитывалось, что форма и местоположение пиков дефектов в спектрах DLTS изменены вследствие влияния внутренних электрических полей на скорость эмиссии электронов с уровней этих дефектов.
URI: http://earchive.tpu.ru/handle/11683/607
Appears in Collections:Известия ТПУ

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
bulletin_tpu-2005-308-2-13.pdf342,59 kBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.