Please use this identifier to cite or link to this item:
http://earchive.tpu.ru/handle/11683/607| Title: | Влияние неоднородных электрических полей на спектры DLTS полупроводников, облученных нейтронами |
| Authors: | Пешев, В. В. |
| Keywords: | неоднородные поля; электрические поля; полупроводники; нейтроны; аналитические выражения; разупорядочение; расчетные спектры; экспериментальные спектры; полосы; радиационные дефекты; формы; местоположение; внутренние поля; скорость; эмиссия; электроны |
| Issue Date: | 2005 |
| Publisher: | Томский политехнический университет |
| Citation: | Пешев В. В. Влияние неоднородных электрических полей на спектры DLTS полупроводников, облученных нейтронами / В. В. Пешев // Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]. — 2005. — Т. 308, № 2. — [С. 74-79]. |
| Abstract: | Получено аналитическое выражение для описания спектров DLTS дефектов в полупроводниках, содержащих встроенные электрические поля областей разупорядочения. Из сопоставления расчетных и экспериментальных спектров для GaAs n-типа, облученного быстрыми нейтронами, сделана попытка связать происхождение U-полосы с известными радиационными дефектами P2 и P3. Учитывалось, что форма и местоположение пиков дефектов в спектрах DLTS изменены вследствие влияния внутренних электрических полей на скорость эмиссии электронов с уровней этих дефектов. |
| URI: | http://earchive.tpu.ru/handle/11683/607 |
| Appears in Collections: | Известия Томского политехнического университета. Инжиниринг георесурсов |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| bulletin_tpu-2005-308-2-13.pdf | 342,59 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.