Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс:
http://earchive.tpu.ru/handle/11683/6230| Название: | Дефектообразование, ударная ионизация и электрическая прочность микронных слоев щелочно-галоидных кристаллов: автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук: спец. 01.04.07 |
| Авторы: | Еханин, Сергей Георгиевич |
| Ключевые слова: | кристаллография; щелочно-галоидные кристаллы; микронные слои; электрическая прочность; электрические поля; кинетика; авторефераты диссертаций |
| Дата публикации: | 2002 |
| Библиографическое описание: | Еханин С. Г. Дефектообразование, ударная ионизация и электрическая прочность микронных слоев щелочно-галоидных кристаллов : автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук : спец. 01.04.07 / С. Г. Еханин ; Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники. — Томск, 2002. — 43 с. : ил. |
| URI: | http://earchive.tpu.ru/handle/11683/6230 |
| Располагается в коллекциях: | Авторефераты и диссертации |
Файлы этого ресурса:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| thesis_tpu-2002-24.pdf | 933,34 kB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.