Please use this identifier to cite or link to this item:
http://earchive.tpu.ru/handle/11683/6544
Title: | Импульсное осаждение полупроводниковых пленок GaAs и InP из абляционной плазмы, формируемой мощным ионным пучком: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук: спец. 01.04.07 |
Authors: | Салтымаков, Максим Сергеевич |
metadata.dc.contributor.advisor: | Ремнев, Геннадий Ефимович |
Keywords: | Полупроводниковые пленки — Физико-химические свойства; тонкие пленки; осаждение; ионное распыление; сильноточные импульсные ускорители; ионные диоды; мишень; воздействие; поверхностный слой; химический состав; изменение; свойства; структура; авторефераты диссертаций |
Issue Date: | 2010 |
Citation: | Салтымаков М. С. Импульсное осаждение полупроводниковых пленок GaAs и InP из абляционной плазмы, формируемой мощным ионным пучком : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук : спец. 01.04.07 / М. С. Салтымаков ; Томский политехнический университет (ТПУ) ; науч. рук. Г. Е. Ремнев. — Томск, 2010. — 18 с. : ил. |
URI: | http://earchive.tpu.ru/handle/11683/6544 |
Appears in Collections: | Авторефераты и диссертации |
Files in This Item:
File | Description | Size | Format | |
---|---|---|---|---|
thesis_tpu-2010-10.pdf | 915,93 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.