Please use this identifier to cite or link to this item:
http://earchive.tpu.ru/handle/11683/15928| Title: | Контроль параметров омических контактов непосредственно в процессе их отжига |
| Authors: | Дохтуров, Всеволод Всеволодович Смирнов, Серафим Всеволодович Юрченко, Алексей Васильевич Юрченко, Василий Иванович |
| Keywords: | омические контакты; параметры; контроль; сопротивление; отжиг |
| Issue Date: | 2012 |
| Publisher: | Томский политехнический университет |
| Citation: | Контроль параметров омических контактов непосредственно в процессе их отжига / В. В. Дохтуров [и др.] // Вестник науки Сибири. — 2012. — № 1 (2). — [С. 109-114]. |
| Abstract: | Проведен анализ процесса отжига омических контактов к полупроводниковым структурам на основе арсенида галлия и его твердых растворов с контролем сопротивления непосредственно в процессе отжига. Приведена эмпирическая формула зависимости приведенного поверхностного сопротивления от температуры. Представлена физическая модель формирования омических контактов. |
| URI: | http://earchive.tpu.ru/handle/11683/15928 |
| ISSN: | 2226-0064 |
| Appears in Collections: | Векторы благополучия: экономика и социум |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.