Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс:
http://earchive.tpu.ru/handle/11683/45519| Название: | Моделирование на ЭВМ распределений по глубине нанокластеров вакансионного типа в материалах, облученных ионами |
| Авторы: | Купчишин, А. И. Купчишин, А. А. Шмыгалева, Т. А. Есхожаева, С. М. |
| Ключевые слова: | электронные ресурсы; металлы; сплавы; ионно-имплантированные примеси; каскадно-вероятностные функции; нанокластеры; ионы |
| Дата публикации: | 2017 |
| Библиографическое описание: | Моделирование на ЭВМ распределений по глубине нанокластеров вакансионного типа в материалах, облученных ионами / А. И. Купчишин [и др.] // Высокие технологии в современной науке и технике (ВТСНТ-2017) : сборник научных трудов VI Международной научно-технической конференции молодых ученых, аспирантов и студентов, г. Томск, 27–29 ноября 2017 г. — Томск : Изд-во ТПУ, 2017. — [С. 150-151]. |
| URI: | http://earchive.tpu.ru/handle/11683/45519 |
| Располагается в коллекциях: | Материалы конференций |
Файлы этого ресурса:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| conference_tpu-2017-C17_p150-151.pdf | 649,64 kB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.