Please use this identifier to cite or link to this item:
http://earchive.tpu.ru/handle/11683/2349| Title: | Формирование поверхностного и приповерхностного слоев на полупроводниках типа AIIIBV |
| Authors: | Мокроусов, Г. М. Зарубина, Оксана Николаевна |
| Keywords: | поверхностные слои; приповерхностные слои; полупроводники; арсенид галлия; фазовые слои; кристаллические слои; полупроводниковые соединения; электродные потенциалы; водные системы; стехиометрический состав; гомогенность; соединения; химическая обработка; материалы |
| Issue Date: | 2008 |
| Publisher: | Томский политехнический университет |
| Citation: | Мокроусов Г. М. Формирование поверхностного и приповерхностного слоев на полупроводниках типа AIIIBV / Г. М. Мокроусов, О. Н. Зарубина // Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]. — 2008. — Т. 313, № 3: Химия. Физика. — [С. 25-30]. |
| Abstract: | На примере арсенида галлия рассмотрен возможный механизм формирования, состав и строение поверхностного фазового и приповерхностного нарушенного кристаллического слоев полупроводниковых соединений в зависимости от величины электродного потенциала и pH водной системы. На основе учета степени отклонения от стехиометрического состава (области гомогенности) соединения и диффузионных представлений впервые проведена оценка толщины приповерхностного слоя в связи с условиями химической обработки материала. |
| URI: | http://earchive.tpu.ru/handle/11683/2349 |
| ISSN: | 1684-8519 |
| Appears in Collections: | Известия Томского политехнического университета. Инжиниринг георесурсов |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| bulletin_tpu-2008-313-3-04.pdf | 453,19 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.