Исследование процессов распыления и ионной имплантации при осаждении тонких плёнок оксидов и нитридов титана методом реактивного магнетронного напыления

Abstract

В ходе работы были определены зависимости полных, парциальных коэффициентов распыления и knock-on коэффициентов от энергии налетающих ионов. Были определены средний пробег ионов при ионной имплантации. А также определены профили осаждения подложки. Полученные данные позволяют определить область наибольших значений скорости осаждения частиц.

In the course of work were identified based on full, partial sputtering yields and knock-on coefficients from the energy of the incident ions. The average range of ions were determined by ion implantation. And also, the profiles of the deposition substrate were determined. The obtained data allow to determine the region of higher values of the settling velocity of the particles.