Please use this identifier to cite or link to this item:
http://earchive.tpu.ru/handle/11683/41436| Title: | Влияние подслоя углерода и титана на электрофизические характеристики пленки нитрида алюминия на кремнии |
| Other Titles: | Influence of the carbon and the titanium sublayers on the eletrophysical preporties of the thin film system ALN/SI |
| Authors: | Инь Шаньшань Павлов, Сергей Константинович Ван Цайлунь |
| metadata.dc.contributor.advisor: | Никитенков, Николай Николаевич |
| Keywords: | водород; полупроводники; нитриды; детектирование; ультрафиолетовое излучение |
| Issue Date: | 2017 |
| Publisher: | Изд-во ТПУ |
| Citation: | Инь Шаньшань. Влияние подслоя углерода и титана на электрофизические характеристики пленки нитрида алюминия на кремнии / Инь Шаньшань, С. К. Павлов, Ван Цайлунь ; науч. рук. Н. Н. Никитенков // Перспективы развития фундаментальных наук : сборник научных трудов XIV Международной конференции студентов, аспирантов и молодых ученых, г. Томск, 25-28 апреля 2017 г. : в 7 т. — Томск : Изд-во ТПУ, 2017. — Т. 1 : Физика. — [С. 141-143]. |
| Abstract: | The carbon (C) and titanium (Ti) ions were implanted onto the surface of the silicon (Si), and the thin films of aluminum nitride (AlN) were prepared on Si(100) substrate by magnetron sputtering after the implantations. The compositions of these thin film systems were studied by optical microscopy and Raman spectroscopy, and the surface conductivity of those samples were measured. It was indicated that the implanted C and Ti ions did have made a difference to the electro physical properties of the systems AlN/Si. |
| URI: | http://earchive.tpu.ru/handle/11683/41436 |
| Appears in Collections: | Материалы конференций |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| conference_tpu-2017-C21_V1_p141-143.pdf | 310,84 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.