Влияние параметров источника питания магнетрона на свойства плёнок нитрида кремния

Петраков, Ю. В.; Киселева, Д. В.

Please use this identifier to cite or link to this item: http://earchive.tpu.ru/handle/11683/41465

Title:	Влияние параметров источника питания магнетрона на свойства плёнок нитрида кремния
Other Titles:	Study on the influence of the magnetron power supply on the properties of the silicon nitride films
Authors:	Петраков, Ю. В. Киселева, Д. В.
metadata.dc.contributor.advisor:	Юрьев, Юрий Николаевич
Keywords:	магнетронное распыление; нитрид кремния; эллипсометрия; спектроскопия; плазмообразующие газы
Issue Date:	2017
Publisher:	Изд-во ТПУ
Citation:	Петраков Ю. В. Влияние параметров источника питания магнетрона на свойства плёнок нитрида кремния / Ю. В. Петраков, Д. В. Киселева ; науч. рук. Ю. Н. Юрьев // Перспективы развития фундаментальных наук : сборник научных трудов XIV Международной конференции студентов, аспирантов и молодых ученых, г. Томск, 25-28 апреля 2017 г. : в 7 т. — Томск : Изд-во ТПУ, 2017. — Т. 1 : Физика. — [С. 270-272].
Abstract:	Silicon nitride (Si3N4) films were deposited by magnetron sputtering of silicon target in (Ar+N2) atmosphere with refractive index 1.95 - 2.05. The results of Fourier transform infrared (FTIR) spectrophotometry showed Si-N bonds in the thin films with concentration 2.41·1023 - 3.48·1023 cm-3. Dependences of deposition rate, optical characteristics and surface morphology on rate of N2 flow and properties of magnetron power supply.
URI:	http://earchive.tpu.ru/handle/11683/41465
Appears in Collections:	Материалы конференций

Files in This Item:

File	Description	Size	Format
conference_tpu-2017-C21_V1_p270-272.pdf		252,9 kB	Adobe PDF	View/Open

Show full item record Google Scholar