Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс:
http://earchive.tpu.ru/handle/11683/33966| Название: | Planar channelling of relativistic electrons in half-wave silicon crystal and corresponding radiation |
| Авторы: | Takabayashi, Yushi Bagrov, Vladislav Gavrilovich Bogdanov, Oleg Viktorovich Pivovarov, Yuriy Leonidovich Tukhfatullin, Timur Ahatovich |
| Ключевые слова: | кристаллы; кремний; релятивистские электроны; каналирование |
| Дата публикации: | 2016 |
| Издатель: | IOP Publishing |
| Библиографическое описание: | Planar channelling of relativistic electrons in half-wave silicon crystal and corresponding radiation / Yu. Takabayashi [et al.] // Journal of Physics: Conference Series. — 2016. — Vol. 732 : Radiation from Relativistic Electrons in Periodic Structures (RREPS2015) : XI International Symposium, 6–11 September 2015, Saint Petersburg, Russian Federation : [proceedings]. — [012036, 8 p.]. |
| Аннотация: | New experimental data on planar channeling of 255 MeV electrons in a 0.74 nm Si Half-Wave Crystal (HWC) obtained at SAGA-LS facility are presented. The computer simulation showed that the angular distribution of electrons after penetration through the HWC revealed the number of unknown before peculiarities is connected with specific electron trajectories in HWC. These specific trajectories lead to specific radiation, the properties of which are analyzed. |
| URI: | http://earchive.tpu.ru/handle/11683/33966 |
| Располагается в коллекциях: | Материалы конференций |
Файлы этого ресурса:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| dx.doi.org-10.1088-1742-6596-732-1-012036.pdf | 1,66 MB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.