Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://earchive.tpu.ru/handle/11683/33966
Название: Planar channelling of relativistic electrons in half-wave silicon crystal and corresponding radiation
Авторы: Takabayashi, Yushi
Bagrov, Vladislav Gavrilovich
Bogdanov, Oleg Viktorovich
Pivovarov, Yuriy Leonidovich
Tukhfatullin, Timur Ahatovich
Ключевые слова: кристаллы; кремний; релятивистские электроны; каналирование
Дата публикации: 2016
Издатель: IOP Publishing
Библиографическое описание: Planar channelling of relativistic electrons in half-wave silicon crystal and corresponding radiation / Yu. Takabayashi [et al.] // Journal of Physics: Conference Series. — 2016. — Vol. 732 : Radiation from Relativistic Electrons in Periodic Structures (RREPS2015) : XI International Symposium, 6–11 September 2015, Saint Petersburg, Russian Federation : [proceedings]. — [012036, 8 p.].
Аннотация: New experimental data on planar channeling of 255 MeV electrons in a 0.74 nm Si Half-Wave Crystal (HWC) obtained at SAGA-LS facility are presented. The computer simulation showed that the angular distribution of electrons after penetration through the HWC revealed the number of unknown before peculiarities is connected with specific electron trajectories in HWC. These specific trajectories lead to specific radiation, the properties of which are analyzed.
URI: http://earchive.tpu.ru/handle/11683/33966
Располагается в коллекциях:Материалы конференций

Файлы этого ресурса:
Файл РазмерФормат 
dx.doi.org-10.1088-1742-6596-732-1-012036.pdf1,66 MBAdobe PDFПросмотреть/Открыть


Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.