Please use this identifier to cite or link to this item: http://earchive.tpu.ru/handle/11683/54642
Title: Разработка технологии изготовления скрытого мостового соединения проводников в производстве гибридных интегральных схем
Authors: Рогожников, Дмитрий Сергеевич
metadata.dc.contributor.advisor: Шестериков, Евгений Викторович
Keywords: мостовое соединение; контактная фотолитография; гибридные интегральные схемы; диоксид кремния; оксид алюминия; a bridge connection; contact photolithography; hybrid integrated circuits; silicon dioxide; aluminum oxide
Issue Date: 2019
Citation: Рогожников Д. С. Разработка технологии изготовления скрытого мостового соединения проводников в производстве гибридных интегральных схем : магистерская диссертация / Д. С. Рогожников ; Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ), Инженерная школа ядерных технологий (ИЯТШ), Научно-образовательный центр Б.П. Вейнберга (НОЦ Б.П. Вейнберга) ; науч. рук. Е. В. Шестериков. — Томск, 2019.
Abstract: Разработка технологии изготовления скрытого мостового соединения, в котором вначале формируется перемычка, затем диэлектрический слой с окнами под соединение с проводниками и формирование топологии схемы, в которой проводники соединяются с помощью мостового соединения.
Development of technology for manufacturing hidden bridge connection. The method based on the following operations: a jumper is formed, and then a dielectric layer with windows for connecting leads and forming a circuit topology in which electrical conductors are connected using a bridge junction.
URI: http://earchive.tpu.ru/handle/11683/54642
Appears in Collections:Магистерские диссертации

Files in This Item:
File SizeFormat 
TPU729213.pdf3,21 MBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.