Please use this identifier to cite or link to this item:
http://earchive.tpu.ru/handle/11683/13568| Title: | О некоторых особенностях зависимости конденсаторной фотоэдс от электрического поля в системе Si-SiO2 |
| Authors: | Зайдман, С. А. Курындина, Н. К. Свирякин, Д. И. |
| Issue Date: | 1975 |
| Publisher: | Томский политехнический университет |
| Citation: | Зайдман С. А. О некоторых особенностях зависимости конденсаторной фотоэдс от электрического поля в системе Si-SiO2 / С. А. Зайдман, Н. К. Курындина, Д. И. Свирякин // Известия Томского политехнического института [Известия ТПИ]. — 1975. — Т. 280 : Неразрушающие методы контроля. — [С. 126-129]. |
| Abstract: | В работе исследуется поведение сигнала фотоэдс (?Уф) в системе полупроводник - диэлектрик (Si-SiO2) в зависимости от поверхностного потенциала (УS0) и оцениваются возможности метода фотоэдс для анализа границы раздела полупроводник - диэлектрик. Показано, что метод весьма чувствителен к параметрам поверхностных состояний. Для экспериментальных зависимостей ?Уф = ?Уф(УS0) характерен ряд особенностей, которые полностью не объясняются в рамках существующей теории конденсаторной фотоэдс. |
| URI: | http://earchive.tpu.ru/handle/11683/13568 |
| Appears in Collections: | Известия Томского политехнического университета. Инжиниринг георесурсов |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| bulletin_tpu-1975-v280-30_bw.pdf | Black-and-white version of the preview | 203,22 kB | Adobe PDF | View/Open |
| bulletin_tpu-1975-v280-30_full.pdf | Color version | 4,37 MB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.