Please use this identifier to cite or link to this item:
http://earchive.tpu.ru/handle/11683/54642| Title: | Разработка технологии изготовления скрытого мостового соединения проводников в производстве гибридных интегральных схем |
| Authors: | Рогожников, Дмитрий Сергеевич |
| metadata.dc.contributor.advisor: | Шестериков, Евгений Викторович |
| Keywords: | мостовое соединение; контактная фотолитография; гибридные интегральные схемы; диоксид кремния; оксид алюминия; a bridge connection; contact photolithography; hybrid integrated circuits; silicon dioxide; aluminum oxide |
| Issue Date: | 2019 |
| Citation: | Рогожников Д. С. Разработка технологии изготовления скрытого мостового соединения проводников в производстве гибридных интегральных схем : магистерская диссертация / Д. С. Рогожников ; Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ), Инженерная школа ядерных технологий (ИЯТШ), Научно-образовательный центр Б.П. Вейнберга (НОЦ Б.П. Вейнберга) ; науч. рук. Е. В. Шестериков. — Томск, 2019. |
| Abstract: | Разработка технологии изготовления скрытого мостового соединения, в котором вначале формируется перемычка, затем диэлектрический слой с окнами под соединение с проводниками и формирование топологии схемы, в которой проводники соединяются с помощью мостового соединения. Development of technology for manufacturing hidden bridge connection. The method based on the following operations: a jumper is formed, and then a dielectric layer with windows for connecting leads and forming a circuit topology in which electrical conductors are connected using a bridge junction. |
| URI: | http://earchive.tpu.ru/handle/11683/54642 |
| Appears in Collections: | Магистерские диссертации |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| TPU729213.pdf | 3,21 MB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.