Осаждение нитрида кремния с помощью магнетронного распыления с ионным-ассистированием

Abstract

В данной работе исследуется процесс магнетронного напыления нитрида кремния с использованием ионного ассистирования плазмой ВЧ разряда. Для повышения скорости напыления и минимизации влияния азота на мишень из Si реализован методы раздельного напыления когда азот подается к ВЧ источнику плазмы, а аргон к мишени.

In this work, we investigate the process of magnetron sputtering of silicon nitride using ion assisted RF discharge plasma. Separate deposition methods have been implemented where nitrogen is supplied to the RF plasma source and argon to the target to increase the deposition rate and minimize the effect of nitrogen on the Si target.