Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://earchive.tpu.ru/handle/11683/38449
Название: Формирование диэлектрических слоёв на основе нитрида кремния для тонкоплёночных МДМ-структур
Авторы: Киселева, Дарья Васильевна
Научный руководитель: Юрьев, Юрий Николаевич
Ключевые слова: планарные магнетроны; нитрид кремния; тонкие плёнки; диэлектрические плёнки; МДМ-структуры; planar magnetron; silicon nitride; thin films; dielectric films; MDM-strusture
Дата публикации: 2017
Библиографическое описание: Киселева Д. В. Формирование диэлектрических слоёв на основе нитрида кремния для тонкоплёночных МДМ-структур : магистерская диссертация / Д. В. Киселева ; Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ), Физико-технический институт (ФТИ), Кафедра экспериментальной физики (ЭФ) ; науч. рук. Ю. Н. Юрьев. — Томск, 2017.
Аннотация: Предметом научной работы является исследование процессов формирования плёнок нитрида кремния с высокими диэлектрическими свойствами в зависимости от режимов осаждения и параметров источника питания магнетронной распылительной системы (МРС) для тонкоплёночных МДМ-конденсаторов интегральных микросхем.
The subject of scientific work presents the original research of formation process of silicon nitride films with high dielectric properties depending on deposition conditions (ratio of gas flow rates and magnetron power supply parameters). Silicon nitride films are dielectric layer in MDM (metal-dielectric-metal)-capacitors of integrated microcircuits in microelectronics.
URI: http://earchive.tpu.ru/handle/11683/38449
Располагается в коллекциях:Магистерские диссертации

Файлы этого ресурса:
Файл РазмерФормат 
TPU349570.pdf2,19 MBAdobe PDFПросмотреть/Открыть


Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.