Please use this identifier to cite or link to this item:
http://earchive.tpu.ru/handle/11683/38449| Title: | Формирование диэлектрических слоёв на основе нитрида кремния для тонкоплёночных МДМ-структур |
| Authors: | Киселева, Дарья Васильевна |
| metadata.dc.contributor.advisor: | Юрьев, Юрий Николаевич |
| Keywords: | планарные магнетроны; нитрид кремния; тонкие плёнки; диэлектрические плёнки; МДМ-структуры; planar magnetron; silicon nitride; thin films; dielectric films; MDM-strusture |
| Issue Date: | 2017 |
| Citation: | Киселева Д. В. Формирование диэлектрических слоёв на основе нитрида кремния для тонкоплёночных МДМ-структур : магистерская диссертация / Д. В. Киселева ; Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ), Физико-технический институт (ФТИ), Кафедра экспериментальной физики (ЭФ) ; науч. рук. Ю. Н. Юрьев. — Томск, 2017. |
| Abstract: | Предметом научной работы является исследование процессов формирования плёнок нитрида кремния с высокими диэлектрическими свойствами в зависимости от режимов осаждения и параметров источника питания магнетронной распылительной системы (МРС) для тонкоплёночных МДМ-конденсаторов интегральных микросхем. The subject of scientific work presents the original research of formation process of silicon nitride films with high dielectric properties depending on deposition conditions (ratio of gas flow rates and magnetron power supply parameters). Silicon nitride films are dielectric layer in MDM (metal-dielectric-metal)-capacitors of integrated microcircuits in microelectronics. |
| URI: | http://earchive.tpu.ru/handle/11683/38449 |
| Appears in Collections: | Магистерские диссертации |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| TPU349570.pdf | 2,19 MB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.